base德国和日本半导体职位(Super Junction、IGBT、GaN HEMT、SiC MOS...

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1、研发负责人（1名）

岗位职责：

Ÿ 根据市场趋势，建立功率器件（超结MOS、IGBT、SiC MOS、GaN HEMT等）芯片设计发展规划图；

Ÿ 制定芯片设计与开发项目的目标和规划，制定明确的项目进程表；

Ÿ 功率半导体器件设计及仿真，以确保产品在理论上符合设计指标；

Ÿ 与Foundry厂家共同建立工艺流程，以确保产品参数、可靠性及工艺窗口达到设计指标；

Ÿ 根据需求进行产品变更与维护，实验数据的统计分析 ；

Ÿ 负责推进研发项目进展，确保项目按计划达成量产目标；

Ÿ 负责研发文件体系、规则与流程的建立和管理。

任职资格：

Ÿ 硕士及以上学历，微电子与固体电子、半导体器件与物理等相关专业，具有扎实的物理基础和半导体器件基础；

Ÿ 具有10年（含）以上功率器件研发经验，精通各类MOSFET尤其是SJ MOSFET及IGBT等功率半导体器件的芯片结构设计、版图设计、器件仿真、流片工艺、测试应用等一系列开发流程；

Ÿ 具备功率半导体器件实际产品的开发/生产/应用经验和FAB流片经验，本人直接开发或负责开发的器件具有持续销售或应用的案例；

Ÿ 工作严谨、思路清晰，有较好的沟通能力、学习能力和团队管理能力。

2、超结(Super Junction) MOSFET设计工程师（2~3名）

岗位职责：

Ÿ 负责超级结功率器件的结构设计、仿真、版图设计等；

Ÿ 确保产品性能满足设计指标和客户需求；

Ÿ 针对产品问题，进行技术攻关，持续提升产品的性能；

Ÿ 配合完成工艺研发和流片相关工作；

Ÿ 研发过程中，实验数据的统计分析整理相关技术文件并及时归档。

任职资格：

Ÿ 熟练掌握主流 TCAD 仿真软件和Cadence 版图或其他设计软件的使用；

Ÿ 对超结MOSFET等功率器件领域的国际前沿性技术有深入的了解和研究，有创造性思维；

Ÿ 5年以上超结MOSFET 设计平台经验，且产品实现批量生产；

Ÿ 硕士以上学历半导体相关专业。

3、IGBT设计工程师（2~3名）

岗位职责：

Ÿ 负责IGBT的结构设计、仿真、版图设计等；

Ÿ 确保产品性能满足设计指标和客户需求；  

Ÿ 针对产品问题，进行技术攻关，持续提升产品的性能；

Ÿ 配合完成工艺研发和流片相关工作；

Ÿ 研发过程中，实验数据的统计分析整理相关技术文件并及时归档。

任职资格：

Ÿ 熟练掌握主流 TCAD 仿真软件和Cadence 版图或其他设计软件的使用；

Ÿ 对IGBT等功率器件领域的国际前沿性技术有深入的了解和研究，有创造性思维；

Ÿ 5年以上IGBT设计平台经验，且产品实现批量生产；

Ÿ 硕士以上学历半导体相关专业。

4、SiC MOSFET设计工程师（2~3名）

岗位职责：

Ÿ 根据公司的新品开发计划，可独立完成所负责 SiC MOSFET器件新品的开发，按照要求进行产品设计；

Ÿ 协助负责人制定并实施相关新品开发计划；

Ÿ 负责相关产品的设计文件、测试文件的拟制；

Ÿ 协助产品工程工程师进行相关产品在生产中的技术、质量维护工作，保障生产的顺利进行，协助老品优化；

Ÿ 与产品市场部、应用部进行沟通和协调，对产品反馈信息进行技术论证，提出改进方案确保及时解决问题；

Ÿ 完成阶段性工作总结。

任职资格：

Ÿ 熟练掌握主流 TCAD 仿真软件和Cadence 版图或其他设计软件的使用，掌握 DOE、SPC、8D、FMEA、MSA、QFD、FA 等知识及应用；

Ÿ 5年以上SiC MOSFET功率半导体器件研发经验且有产品实现批量生产；

Ÿ 对SiC MOSFET等功率器件领域的国际前沿性技术有深入的了解和研究，有创造性思维；

Ÿ 硕士以上学历半导体相关专业。

5、GaN HEMT设计工程师（2~3名）

岗位职责：

Ÿ 根据公司的新品开发计划，可独立完成所负责 GaN HEMT器件新品的开发，按照要求进行产品设计；

Ÿ 协助负责人制定并实施相关新品开发计划；

Ÿ 负责相关产品的设计文件、测试文件的拟制；

Ÿ 协助产品工程工程师进行相关产品在生产中的技术、质量维护工作，保障生产的顺利进行，协助老品优化；

Ÿ 与产品市场部、应用部进行沟通和协调，对产品反馈信息进行技术论证，提出改进方案确保及时解决问题；

Ÿ 完成阶段性工作总结。

任职资格：

Ÿ 熟练掌握主流 TCAD 仿真软件和Cadence 版图或其他设计软件的使用，掌握 DOE、SPC、8D、FMEA、MSA、QFD、FA 等知识及应用；

Ÿ 对GaN HEMT等功率器件领域的国际前沿性技术有深入的了解和研究，有创造性思维；

Ÿ 5年以上GaN HEMT功率半导体器件研发经验且有产品实现批量生产；

Ÿ 硕士以上学历半导体相关专业。

6、IGBT/SiC模块设计工程师（2~3名）

岗位职责：

Ÿ 负责IGBT/SiC模块新产品设计开发、电/热/力性能分析和优化;

Ÿ 负责功率模块性能验证、负责产品技术文档编制;

Ÿ 运用资料检索分类，把握行业动态及技术发展趋势。

任职资格:

Ÿ 熟练掌握功率模块的工作原理和设计方法以及封装类型;

Ÿ 硕士及以上学历，电力电子、自动化、电气、机械电子、微电子等相关专业;

Ÿ 对IGBT/SiC模块等功率器件领域的国际前沿性技术有深入的了解和研究，有创造性思维；

Ÿ 五年以上功率模块设计经验。

7、工艺整合工程师（1~2名）

岗位职责：

Ÿ 新产品转移，技术转移管理制度，工艺流程，技术标准，技术规范组织制定；

Ÿ 建立并监控新产品流片成功，确保适于量产，采用统计制程管理日常监管Key SPC chart，提高电学参数及在线监控参数的综合制程能力；

Ÿ 发现制造工艺过程的问题，协调各工程部门提出解决方案以确保在线产品的进程；

Ÿ 创建工艺流程，通过失效分析、工艺优化改善措施实施，提高良品率并将验证过的优化工艺及时更新到流程；

Ÿ 了解客户技术上的要求以确保配合、执行客户要求；同时对客户Lot的工艺过程、在线参数、电性、可靠性、良率及时或定期主动与客户交流。

任职资格：

Ÿ 5年以上高端功率器件（至少涵盖超结(Super Junction) MOSFET / 绝缘栅双极晶体管IGBT/宽禁带SiC MOSFET/GaN HEMT之一）晶圆制造平台实战经验，且产品实现批量生产；

Ÿ 熟练掌握芯片WAT、CP、FT等测试数据分析手法，拥有量产产线提升良率经验；

Ÿ 熟悉QFD、DOE、SPC、8D、FMEA、FA 相关知识及应用，最好有车规级功率器件质量管控经验；

Ÿ 硕士以上学历半导体相关专业。

以上岗位要求具备国际主流功率器件公司相关工作经验

相关公司：英飞凌（Infineon，国际整流器IR)﹑意法半导体（ST Micro)﹑安森美（Onsemi,仙童Fairchild)﹑安世（Nexperia）﹑威世（Vishay）﹑罗姆（Rohm）﹑富士电机（Fuji Electric）等

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